檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "Thin film".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="氧化銦鎵鋅"
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一般而言,薄膜電晶體使用黃光微影製程來進行圖案化以防止柵極漏電流,但是該方法不適合用於溶液製程的薄膜電晶體。我們開發了一種簡單快速的方法,透過旋轉塗佈自組裝單分子來製造具有低柵極漏電流的薄膜電晶體。…
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本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中,並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材,經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜,期望藉由…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材,採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜,以N取代O的位置,期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中,觀察在不同氧氣…